基礎から学ぶ半導体電子デバイス
2,750
著者：大谷 直毅【著】
出版社：森北出版
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商品説明
内容説明
「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。
目次
半導体の基礎
半導体中のキャリア密度
半導体中のキャリア輸送現象
ｐｎ接合ダイオード
金属と半導体の接合による整流特性
バイポーラトランジスタ
接合型電界効果トランジスタ
ＭＯＳダイオード
ＭＯＳＦＥＴ
ＭＯＳ集積回路
ＭＥＳＦＥＴ
付録Ａ エネルギーバンド構造について
付録Ｂ 状態密度の計算方法
付録Ｃ 有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体
付録Ｄ 価電子帯のエネルギーと正孔の概念
付録Ｅ ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子
付録Ｆ ショットキー接合の電流‐電圧特性
付録Ｇ バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足
著者等紹介
大谷直毅［オオタニナオキ］
１９９４年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）。株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所客員研究員。２００１年総務省通信総合研究所（現独立行政法人情報通信研究機構）光エレクトロニクスグループリーダー。２００５年同志社大学工学部助教授。２０１１年同志社大学理工学部教授。専門：半導体光デバイス、光電子物性、ナノ構造の物理とその応用（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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