はじめての半導体ドライエッチング技術 （改訂版）

目次

１章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
２章　ドライエッチングのメカニズム
３章　各種材料のエッチング
４章　ドライエッチング装置
５章　ドライエッチングダメージ
６章　新しいエッチング技術
７章　アトミックレイヤーエッチング（ＡＬＥ）
８章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望

著者等紹介

野尻一男［ノジリカズオ］
１９７３年群馬大学工学部電子工学科卒業。１９７５年群馬大学大学院工学研究科修士課程修了。１９７５年（株）日立製作所入社。２０００年ラムリサーチ（株）入社、取締役・ＣＴＯに就任。２０１９年独立し、ナノテクリサーチ代表として技術および経営のコンサルティングを行っている。１９８９年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞。１９９４年「低温ドライエッチング装置の開発」で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞。２０１９年ＤＰＳ　Ｎｉｓｈｉｚａｗａ　Ａｗａｒｄを受賞（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

出版社内容情報

「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが、半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず、次々新しい技術が出現しています。本書は、アトミックレイヤーエッチング（ALE）など新しい技術の解説や、ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど、旧版に大幅に加筆訂正を行いました。