在庫状況:在庫僅少/2025年04月 発売/◆同社ミドルクラス据置ヘッドホンアンプのバージョンアップモデル◆ボルーム周りの機能を中心に強化しヘッドホンアンプとしてもプリアンプとしても完成度を高めています◆UIも新しくし機器の状況も解りやすく更新/[S17PROEVO]
S17PROEVO
2025年04月 発売■ S17proEvo 概要
aune audioのA級ヘッドフォンアンプ フルディスクリート/フルバランス回路 R2Rヴォリューム搭載の名機S17シリーズがS17proEVOとしてアップデートされました。
ヴォリューム周りの機能を中心に強化された新しいS17proは洗練されたauneらしいサウンドが好評を博しているヘッドフォンアンプです
A級アンプながら二つのゲインモードを搭載し、クラスAアンプ特有の発熱状況を見ながらゲインモードを選択できます。(アンプ温度が65度を超えると自動的にLowゲインに変更されます)
こだわりの日本産パーツを多用したS17シリーズはツインJFETを搭載、チューブアンプのようなまろやかなサウンドが実現しています。
またヘッドフォンアウトとラインアウトを備えた出力モードではそれぞれでヴォリュームの設定が残り、操作性が上がりました。
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ツインJFET・Class-A・ゲイン選択可能・R2 VolumeAuneの新世代フルディスクリートA級ヘッドホンアンプとして、S17 Pro EVOはツインJFET、R2Rボリュームコントロール、High/Lowのゲイン選択、最大7.5Wの高出力、3系統のヘッドホン出力+2系統のプリアンプ出力等を備えています。
パワフルで表現力豊かな高音質ヘッドホンアンプです。
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ツインJFET 真空管のようなまろやかさJFET(接合方電界効果トランジスタ)は入力インピーダンスが高く、真空管のような豊かでまろやかなサウンドを持っています。
S17 Pro EVOにおいては、単なるJFETではありません。温度上昇、性能、そして中間点電圧が同一のツインJFETを採用しています。
これはヘッドホンアンプにとって理想的な入力トランジスタです。
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チャンネルあたりトランジスタ2ペアでパワフルS17 Pro EVOの最終出力段は、並列に接続された2ペアの出力トランジスタを使用しています。
全体では、合計16個もの出力トランジスタを搭載しています。
最大出力は7.5Wです。あらゆる種類のヘッドホンやIEMを容易に駆動できます。
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2段階ゲイン調整可能なClass-AアンプS17 Pro EVOは、トランジスタあたりA-L/A-Hの2段階のA級電流を特別に設計しており、各チャンネルには並列に接続された2ペアのトランジスタを搭載しているため、各チャンネルの静止電流は100mA/200mAにも達します。
A級アンプのサウンドは、まろやかで温かく滑らかです。
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高精度R2R電子ボリュームチップS17 Pro EVOは、日本産JRC製のR2R電子ボリュームチップと専用のオペアンプを使用し、4回路のバランスR2Rボリュームコントロールを構築しています。
高い制御精度、優れたチャンネルバランス、広大なサウンドステージ、正確な音像定位を実現します。
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新型UIで現在の音量と温度表示が一目でわかるS17 Pro EVOの全く新しいUIは現在の音量と温度を2色で表示し、一目で表示内容を明確に把握できるようにしています。
A-HモードはレーシングカーのGTモードに似た高電流A級動作モードです。
緩やかな温度上昇が見られます。(ヘッドホンのインピーダンスが低い場合、より早い温度上昇につながる可能性があります。)
デバイスの温度が69℃に達すると、加熱保護の為、S17 Pro EVOは自動的にA-L A級電流モードに切り替わります。
A-Lモードでも非常に優れた音質を維持します。
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50Wの出力と19200μFの容量で豊かなサウンドを楽しめるS17 Pro EVOは。50Wの低リップルトロイダルトランスとデュアル電源設計を採用しています。
デジタル制御部とアナログ部は互いに独立しているため、アナログ部は干渉から解放されます。
さらに19200μFのコンデンサアレイを搭載しています。
これらが一体となってS17 Pro EVOをパワフルで表現力豊かなサウンドにしています。
■ 仕 様 ■
- SN比:>115dB @600Ω
- THD+N:<0.0003% @1kHz (シングルエンド)、<0.00016% @1kHz(バランス)
- 出力:(シングルエンド/ローゲイン)32Ω 780mW、(バランス/ローゲイン)32Ω 2880mW
- 入力端子:RCA×1基、XLR×1基
- 出力端子:6.35mm×1基、4.4mm×1基、XLRバランス×1基、プリアウト(RCA/XLR)×各1基