半導体デバイスの基礎 下 / B.L.アンダーソン

3端子素子の1つの接合型バイポーラ・トランジスタ(BJT)の基本動作原理を論じ、等価回路モデルでの解析手法を解説。半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに、徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。下巻では、3端子素子の1つの接合型バイポーラ・トランジスタ(BJT)の基本動作原理を論じ、等価回路モデルを用いた解析手法を解説。続いて光デバイスやイメージ・センサーを紹介。付録では半導体基板の製造からチップのパッケージなどの製造工程の概説や、状態密度や有効質量の数式的な扱いに関する解説も収録。<br>B.L.アンダーソン
丸善
2012年01月
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アンダ−ソン B L
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